一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法

摘要

本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法，属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结，采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后，对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后，不卸片；再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上，加热第一块载物台后，把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离，对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工，达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形，使其面形精度得到很大的提高。

主权项

1. 一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法，采用粘结剂把硬脆晶体薄基片粘结在载物台上，其特征在于，分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结，其步骤是：1)首先用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片的下表面粘结在第一块载物台上，低温粘结有效粘结温度范围在35～70℃；2)对硬脆晶体薄基片上表面进行研磨和抛光；达到表面质量要求后；3)不用取下硬脆晶体薄基片，再用高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上；其有效粘结温度范围在80～160℃，高温粘结的固化时间在5～30min；4)加热第一块载物台，控制加热温度，使低温粘结剂失效，同时保证高温粘结剂不失效，使硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离；5)清洗，采用丙酮或酒精有机溶剂清洗硬脆晶体薄基片下表面残留的低温粘结剂；6)再对硬脆晶体薄硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨和抛光，达到表面质量要求；7)卸下硬脆晶体薄硬脆晶体薄基片；8)清洗，采用丙酮或酒精有机溶剂清洗硬脆晶体薄基片上高温粘结剂，完成全部加工。