发明名称 半导体装置
摘要 本发明系关于一种应用热电原理进行工作的半导体装置。本发明实施例之半导体装置,系包含:源极/汲极导体,系为位于基板上由金属材料所形成之导线;第一闸极导体,系为由金属材料形成的第二导线;以及第二闸极导线,系为由金属材料形成的第三导线,其中第一闸极导体系位于源极/汲极导体之一端的此源极/汲极导体之第一部分的附近,而第二闸极导体系与此第一闸极导体相互分开,并且此第二闸极导体系位于源极/汲极导体之另一端的此源极/汲极导体之第二部分的附近。进而,透过向第一闸极导体与第二闸极导体施加电流,可形成从源极/汲极导体之一端到此源极/汲极导体之另一端的电流。
申请公布号 TW200929628 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097142770 申请日期 2008.11.05
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 金明洙
分类号 H01L35/28(2006.01);H01L29/40(2006.01) 主分类号 H01L35/28(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩