快闪记忆体及其制造方法

摘要

一种快闪记忆体的制造方法，首先提供已形成有多数个隔离结构的基底，由于这些隔离结构之顶部高于基底，因此相邻的隔离结构之间形成多数个开口。接着于这些开口内依序形成第一矽半导体层与第二矽半导体层以填满之。然后移除这些隔离结构之一部份，使这些隔离结构之顶部低于第二矽半导体层之顶部。而后在第一矽半导体层上形成矽晶粒层。之后于基底上依序形成闸间介电层与控制闸极，并图案化矽晶粒层、第一矽半导体层以及第二矽半导体层以形成浮置闸极。