发明名称 |
半导体存储器件隔离层的形成方法 |
摘要 |
本发明涉及一种形成半导体存储器件的隔离层的方法。根据本发明的一个方面的制造半导体存储器件的方法,在半导体衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层。通过蚀刻电荷俘获层和隧道绝缘层形成隔离沟槽。在包括隔离沟槽的整个表面上形成钝化层。在隔离沟槽的底部形成第一绝缘层。除去在第一绝缘层形成工艺中被氧化的钝化层部分。在包括第一绝缘层的整个表面上形成第二绝缘层。 |
申请公布号 |
CN101471305A |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200810133564.7 |
申请日期 |
2008.07.17 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
赵种慧;赵挥元;金恩洙 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘继富;顾晋伟 |
主权项 |
1. 一种制造半导体存储器件的方法,所述方法包括:在半导体衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层;通过蚀刻所述电荷俘获层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底形成隔离沟槽;在所述电荷俘获层上和在所述隔离沟槽内形成钝化层,所述钝化层覆盖所述隔离沟槽;在所述隔离沟槽的底部形成第一绝缘层,所述第一绝缘层暴露出所述钝化层的一部分,所述钝化层的暴露部分在形成所述第一绝缘层期间被氧化;蚀刻所述钝化层的暴露部分以减少所述钝化层暴露部分的厚度;和至少在所述隔离沟槽内和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层,以形成包括所述第一和第二绝缘层的隔离结构。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |