| 发明名称 | 脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能提高品质及生产率、并能改善作业环境的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法。TFT基板的制造方法具有下述工序：在玻璃基板(1010)上形成薄膜晶体管(1050)、保护用绝缘膜(1054)、抗蚀剂(1055)，形成咬边部(1554)的工序；形成被彼此分离的导电体膜(1611)及像素电极(1612)的工序；供给脱模组合物，溶解再形成抗蚀剂(1553)使导电体膜(1611)剥离的脱模工序；使抗蚀剂上的导电体膜(1611)溶解在含有导电体膜(1611)的使用过的脱模组合物中，再利用该使用过的脱模组合物的循环工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101473420A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200780023390.2 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;松原雅人;白木安司 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱 丹 |
| 主权项 | 1、一种脱模组合物，其特征在于，其用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂，并使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，所述脱模组合物含有20～79.5重量％的胺类化合物、20～79.5重量％的非质子性极性化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||