| 摘要 |
【课题】本发明系为能够得到不会招致装置性能恶化，并且可以达到长期稳定动作之具有氮化镓系半导体构造的半导体装置之制造方法。【解决手段】本发明系在脊部的表面上以外形成绝缘膜8后，藉由供给O#sB!2#eB!、O#sB!3#eB!、NO、N#sB!2#eB!O、NO#sB!2#eB!等含氧气体，从表面氧化p型GaN接触层7，在p型GaN接触层7的表面形成氧化膜9。接着，在氧化膜9及绝缘膜8上利用蒸镀或溅镀形成取得对p型GaN接触层7的接触之p型电极10。其后，藉由在氮、NH#sB!3#eB!等含氮气体或Ar、He等钝性气体中，利用400～700℃进行热处理。 |
