| 摘要 |
本发明之具体实施例包括一种雷射结构，其具有差量掺杂作用区域，用于改良载子局限。该雷射结构包括一n型包覆层、与该n型包覆层相邻形成之一n型波导层、与该n型波导层相邻形成之一作用区域、与该作用区域相邻形成之一p型波导层，以及与该p型波导层相邻形成之一p型包覆层。该雷射结构经组态使得一p型掺杂物浓度横跨该作用区域从该作用区域的n型侧至该作用区域的p型侧增加，及/或一n型掺杂物浓度横跨该作用区域从该作用区域的n型侧至该作用区域的p型侧减少。该差量掺杂作用区域提供改良的载子局限，而消除对阻挡层之需要，从而减少因阻挡层在该作用区域上产生之应力。 |
