发明名称 | 溅射设备 | ||
摘要 | 本发明涉及一种在基体上形成膜的溅射设备,其包括:电极,所述电极布置在真空室中并具有放置表面以将靶设置在所述放置表面上;设置在所述放置表面的周边部分上的固定部分;在所述真空室中屏蔽设置在所述放置表面上的靶的挡板机构;以及在所述真空室中将所述挡板机构设置在预定位置处的移动机构。所述固定部分和所述挡板机构的可移动部分中的一个设有凹部,并且另一个设有突起。当所述移动机构将所述挡板机构设置在靠近所述固定部分的位置处时,所述突起插入所述凹部中。 | ||
申请公布号 | CN101469406A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | CN200810190690.6 | 申请日期 | 2008.12.26 |
申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 小林幸弘;吉塚浩一;太田俊之 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 柴毅敏 |
主权项 | 1. 一种在基体上形成膜的溅射设备,其包括:位于真空室中的电极,所述电极具有放置表面以将靶设置在所述放置表面上;固定部分,所述固定部分设置在所述放置表面的周边部分上;挡板机构,所述挡板机构在所述真空室中屏蔽设置在所述放置表面上的靶;以及移动机构,所述移动机构在所述真空室中将所述挡板机构设置在预定位置处;其中,所述固定部分和所述挡板机构的可移动部分中的一个设有凹部,并且另一个设有突起,以及当所述移动机构将所述挡板机构设置在靠近所述固定部分的位置处时,所述突起插入所述凹部中。 | ||
地址 | 日本神奈川 |