闪存器件及其操作方法

摘要

一种闪存器件，包括多个存储单元块、控制单元、编程速度计算单元、电压发生器以及块选择单元。每个存储单元块包括串，所述串具有漏极选择晶体管、多个存储单元、新单元以及源极选择晶体管。控制单元响应于地址信号而产生块选择信号，并且响应于命令信号而产生操作控制信号。编程速度计算单元基于在对新单元的编程操作之后检测到的阈值电压，来确定初始编程电压的电平。电压发生器根据操作控制信号来产生操作电压，所述操作电压包括具有电平的初始编程电压。块选择单元将操作电压传送到对应于块选择信号的存储单元块。

主权项

1. 一种闪存器件，包括：多个包括串的存储单元块，每个串包括漏极选择晶体管、多个存储单元、新单元以及源极选择晶体管；控制单元，用于响应于地址信号而产生块选择信号，并且用于响应于命令信号而产生操作控制信号；编程速度计算单元，用于基于在对所述新单元的编程操作之后检测到的阈值电压来确定初始编程电压的电平，其中在增量步进脉冲编程方法的编程操作中施加所述初始编程电压；电压发生器，用于根据所述操作控制信号来产生包括所述初始编程电压的操作电压，其中所述初始编程电压的电平由所述编程速度计算单元确定；以及块选择单元，其将所述操作电压传送到对应于所述块选择信号的存储单元块。