| 发明名称 | 可使用多种制造过程生产的半导体器件的调整方法及电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可以使用多种制造过程来生产的半导体器件的调整方法以及可以使用多种制造过程在半导体芯片上形成的电路。所述方法包括读取包含在半导体器件内的制造识别信息，将该制造识别信息与多种制造过程之一相关联，以确定与制造所述半导体器件关联的制造过程；基于所述关联的制造过程调整所述半导体器件的至少一个参数。 | ||
| 申请公布号 | CN101471626A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810181679.3 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 马索德·赛耶德 |
| 分类号 | H03F1/26(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡晓红 |
| 主权项 | 1、一种对可以使用多种制造过程来生产的半导体器件进行采用调整的方法，其特征在于，所述方法包括：半导体器件读取包括在其自身中的制造识别信息；将所述制造识别信息与多种制造过程之一相关联，以确定与制造所述半导体器件关联的制造过程；基于所述关联的制造过程调整所述半导体器件的至少一个参数。 | ||
| 地址 | 美国加州尔湾市奥尔顿公园路16215号92618-7013 | ||