| 发明名称 | 带隙基准电压参考电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种带隙基准电压参考电路，该电路包括：一V<sub>BE</sub>电压产生器(11)，该V<sub>BE</sub>电压产生器(11)包括一个用于产生两支路参考电路的自偏置电流源(111)，以及耦合于该自偏置电流源(111)的用于产生两路V<sub>BE</sub>电压的偏置发生器(112)；一基准电压调节器(12)，该基准电压调节器(12)包括运算跨导放大器(121)和基准电压调节单元(122)，用于产生一个恒定的基准电压。本发明利用亚阈值工作区的晶体管来代替电阻放大具有正温度系数的电压，从而降低了带隙基准电压参考电路的功耗和成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101470458A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710303891.8 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王晗;叶青 |
| 分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种带隙基准电压参考电路，其特征在于，该电路包括：一VBE电压产生器(11)，该VBE电压产生器(11)包括一个用于产生两支路参考电路的自偏置电流源(111)，以及耦合于该自偏置电流源(111)的用于产生两路VBE电压的偏置发生器(112)；一基准电压调节器(12)，该基准电压调节器(12)包括运算跨导放大器(121)和基准电压调节单元(122)，用于产生一个恒定的基准电压。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||