形成光阻底层膜之组成物及使用其形成光阻图型之方法

摘要

课题：本发明之目的系获得一种乾蚀刻速度之选择比大、且在ArF准分子雷射（波长193 nm）之类的短波长下，其k值及折射率n可显示所期望之值之用以形成光阻底层膜之组成物。解决手段：一种含有聚合物及溶剂，且该聚合物之主链系具有肉桂酸衍生物之微影用光阻底层膜形成组成物。该肉桂酸衍生物系介着酯键结、或酯键结与醚键结，而被导入于该聚合物之主链上。