| 摘要 |
Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (20) aufweist, die einen Pumplaser (7) umfasst, und der eine auf der ersten Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnete zweite Halbleiterschichtenfolge (3) aufweist, die einen Vertikalemitter (1) umfassst. Der Vertikalemitter (1) weist eine strahlungsemittierende aktive Schicht (4), eine Strahlungsaustrittsseite (5) und eine der Strahlungsaustrittsseite (5) gegenüberliegende Befestigungsseite (6) auf, wobei der Pumplaser (7) an der Strahlungsaustrittsseite (5) des Vertikalemitters (1) angeordnet ist und an der Befestigungsseite (6) des Vertikalemitters (1) ein Trägerkörper (2) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenemittierenden Halbleiterlasers angegeben.
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