| 发明名称 |
Einkristallines, mit Sauerstoff dotiertes N-Galliumnitrid-Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60232385(D1) |
申请公布日期 |
2009.06.25 |
| 申请号 |
DE2002632385 |
申请日期 |
2002.03.26 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
发明人 |
MOTOKI, KENSAKU;UENO, MASAKI |
| 分类号 |
C30B29/40;C23C16/30;C30B23/00;C30B23/02;C30B25/00;C30B25/02;C30B29/38;C30B33/00;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B29/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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