一种非挥发性阻抗存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种RRAM及其制造方法，该RRAM包括上下电极和夹设在两者间的双阻金属氧化层。现有技术中RRAM制程并未穿插在半导体器件的制程中，从而使其制造过程复杂且效率低下，另外在RRAM制程中双阻金属氧化层或下电极会暴露在灰化工艺的氧等离子体中，从而造成双阻金属氧化层成分或厚度难以控制进而造成RRAM质量的退化。本发明的RRAM的下电极为金属插塞或设置在下层金属层中的金属导线，上电极与第一或上层金属层中的上电极引出导线相连，本发明的RRAM制造方法将RRAM制程穿插在半导体器件的制程中，并使用了硬掩模层从而避免将双阻金属氧化层或下电极暴露在灰化工艺的氧等离子体中。本发明可提高RRAM的质量和制造效率，并简化制造过程且降低制造成本。

主权项

1、一种非挥发性阻抗存储器，其设置在半导体器件的金属前介质层与第一金属层间或上下层金属层间，该存储器包括上下电极和夹设在上下电极间的双阻金属氧化层，其特征在于，该下电极为设置在金属前介质层中的金属插塞或设置在下层金属层中的金属导线，该第一金属层或上层金属层中具有上电极引出导线，该上电极与该上电极引出导线相连。