用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理

摘要

本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有减小的粗糙度的纳米晶粒尺寸多晶硅层。

主权项

1. 一种在衬底上形成半球形晶粒硅层的方法，包括：将含硅前驱体和载气引入单衬底化学汽相沉积室；和使所述含硅前驱体热分解以在所述衬底上沉积半球形晶粒硅层，其中所述衬底支撑在所述室中的衬底支撑上，在沉积期间，所述衬底支撑保持在约670℃和约710℃之间的温度，并且所述室保持在约100Torr和约350Torr之间的压力。