制造非易失存储器件的方法和由此获得的存储器件

摘要

本发明涉及处理包括双栅叠置体和单个存取栅的非易失存储单元(50)的方法。该方法结合了以自对准的方式用与源注入分离的漏注入来处理存取栅的方式。本发明的方法不需要掩模对准灵敏度并且使得可以自对准地对延伸的漏进行注入，用于对存储器件进行擦除。此外，该方法提供了在不使用额外的掩模的情况下以不同的掺杂分别进行漏和源注入的方式。

主权项

1、一种处理包括双栅叠置体和单个存取栅的电器件的方法，该方法包括：首先提供具有第一侧壁和第二侧壁的所述双栅叠置体，将要靠近所述第一侧壁形成所述存取栅，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对，之后，在所述双栅叠置体上并与其相邻地提供导电层(38)，之后，部分地除去与所述第二侧壁相邻的所述导电层(38)，在部分地除去所述导电层(38)之后，对与所述第一侧壁相邻和与所述第二侧壁相邻的所述导电层(38)进行回刻蚀，直到除去与所述第二侧壁相邻的所述导电层(38)为止，留下所述导电层(38)的剩余部分，用于形成与所述第一侧壁相邻的所述存取栅(44)，之后，形成与所述第二侧壁相邻的漏区(40)，之后，通过局部除去与所述第一侧壁相邻的所述导电层(38)的一部分，形成存取栅(44)，以及之后，在已经除去导电层(38)的位置形成源区(45)。