| 发明名称 | 可电性擦除且可程序化的只读存储单元及其程序化方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种可电性擦除且可程序化的只读存储单元及其程序化方法，该可电性擦除且可程序化的只读存储单元是由堆叠层、栅极导电层、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、第一口袋植入掺杂区与第二口袋植入掺杂区所构成。其中，堆叠层配置在衬底上。此外，栅极导电层配置在堆叠层上。另外，第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，分别配置在栅极导电层两侧的衬底中。此外，第一口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的衬底中，且与第一源极/漏极区邻接。另外，第二口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的衬底中，且与第二源极/漏极区邻接，而且第一口袋植入掺杂区的掺杂浓度不同于第二口袋植入掺杂区的掺杂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN100505270C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200410088554.8 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴昭谊;李明修 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种可电性擦除且可程序化的只读存储单元，其特征在于其包括：一堆叠层，配置在一衬底上，且该堆叠层是由一穿隧介电层、一电荷捕捉层与一阻挡介电层依序堆叠而成；一栅极导电层，配置在该堆叠层上；一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，分别配置在该栅极导电层两侧的该衬底中；一第一口袋植入掺杂区，配置在该堆叠层下方的该衬底中，且与该第一源极/漏极区邻接；以及一第二口袋植入掺杂区，配置在该堆叠层下方的该衬底中，且与该第二源极/漏极区邻接，其中，该第一口袋植入掺杂区的掺杂浓度不同于该第二口袋植入掺杂区的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||