| 发明名称 | 等离子体刻蚀电介质层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体刻蚀电介质层的方法，使用含硫的等离子体刻蚀电介质层，可以很好地保证在电介质层上刻蚀出的等离子体符合预期。另外，本发明先还利用不含硫的第二等离子体刻蚀硬膜层，再利用含硫的第一等离子体刻蚀电介质层，既能利用含硫的等离子体刻蚀电介质层从而保持良好的刻蚀形状，又能防止硫与有机掩膜层形成阻隔层，从而避免难以去除有机掩膜层的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101465293A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810205372.2 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 凯文·皮尔斯;倪图强 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体刻蚀电介质层的方法，其特征在于：提供一半导体衬底，衬底上包括一电介质层和位于电介质层上的硬膜层和光刻胶层；图形化光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，利用不含硫的等离子刻蚀气体图形化所述硬膜层，并在完成硬膜层刻蚀后去除所述光刻胶层；以图形化的硬膜层为掩膜用含硫等离子刻蚀气体刻蚀所述电介质层。 | ||
| 地址 | 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||