| 发明名称 | 介质隔离集成电路硅片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要涉及介质隔离硅片的制备方法。一种N型/P型介质隔离集成电路硅片，其主要特点在于有N型/P型衬底硅片(1)，其上设有夹心氧化层(2)，还有N型/P型硅单晶层(6)，在硅单晶层(6)内设有隐埋层(3)；其硅单晶层(6)由二氧化硅(5)、多晶硅(4)和夹心氧化层(2)分隔为互相绝缘的隔离方块。本发明还公开了N型/P型介质隔离集成电路硅片的制备方法，包括有隐埋层制备，贴片，研磨、抛光和刻槽，二氧化硅、多晶硅生长，抛光。由于在制备中大大缩短了高温时间，晶体结构更完整，工艺控制更准确，可制作高性能及特殊要求的电路。适当提高单晶片电阻率，可以做出高(电源)电压电路，并有一定功率输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101465357A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810232036.7 | 申请日期 | 2008.10.13 |
| 申请人 | 天水华天微电子股份有限公司 | 发明人 | 周鸣新 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张 真 |
| 主权项 | 1. 一种N型/P型介质隔离集成电路硅片，其特征在于有N型/P型衬底硅片(1)，其上设有夹心氧化层(2)，还有N型/P型硅单晶层(6)，在硅单晶层(6)内设有隐埋层(3)；其硅单晶层(6)由二氧化硅(5)、多晶硅(4)和夹心氧化层(2)分隔为互相绝缘的隔离方块。 | ||
| 地址 | 741000甘肃省天水市秦州区双桥路14号 | ||