发明名称 |
包括多孔层的半导体发光器件 |
摘要 |
一种发光器件,包括具有发光层的半导体结构,发光层设置在n-型区和p-型区之间。在发光层和一个接触之间设置多孔区,接触电连接到n-型区和p-型区之一上。多孔区散射光,使之离开吸收接触,从而可以改善光从器件的提取。在某些实施例中,多孔区是一种n-型半导体材料,如GaN或GaP。 |
申请公布号 |
CN101467268A |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN200780021454.5 |
申请日期 |
2007.06.05 |
申请人 |
飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
发明人 |
J·E·埃普勒;M·R·克拉梅斯;H·赵;J·C·金 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
龚海军;谭祐祥 |
主权项 |
1、一种器件,包括:-半导体结构,包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层;-接触,电连接到n-型区和p-型区之一上;其中:半导体结构包括一个多孔区,多孔区设置在接触和发光层之间;并且其中:半导体结构进一步还包括顶部表面,从顶部表面发出从半导体结构提取的光,其中:发光层设置在顶部表面和多孔区之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |