光刻过程中晶片热形变的优化校正

摘要

本发明提出了校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包含，按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域，并测量所述区域的属性以评估曝光过程的热效应引起的区域形变。该方法进一步包含基于测得的属性确定校正信息，并基于改校正信息调整预定的曝光信息以补偿热致区域形变。其它实施方案包含使用预计模型以预计区域上的热致效应，并包含热像成像以确定整个衬底上的温度变化。

主权项

1. 一种校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法，包括：按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域上；测量所述区域的属性以评估由所述曝光的热效应引起的所述区域的形变；基于所述测得的属性确定校正信息；以及基于所述校正信息调整所述预定曝光信息，以补偿热致区域形变，其中所述曝光信息至少包含下述信息之一：曝光能量信息、曝光时间信息、曝光区域位置信息、曝光区域排序信息、及曝光区域形变信息，并且所述方法进一步包含：提供模型以预计热致区域形变信息；以及基于所述预计的热致形变信息，在曝光之前修改所述预定曝光信息。