直接出射白光的高亮度功率型LED芯片

摘要

本发明是一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片，其结构是：设有至少两个发射不同主波长光的有源区，每一个有源区具有各自的光波导限制层；两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光；其两侧的解理腔面都镀有反射膜，形成光子谐振腔；光出射方向为全侧面出光，此种结构适合GaN基或ZnSe基的LED，或者其它材料的LED；其衬底是蓝宝石衬底，或SiC衬底，或者别的衬底材料。本发明克服了现有的白光LED在结构、封装方面，以及亮度不够高、发光效率和发光功率小、制作工艺复杂等方面存在的缺陷，更适合在照明市场的广泛应用。

主权项

1. 一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片，其特征在于：设有至少两个发射不同主波长光的有源区，每一个有源区具有各自的光波导限制层；两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光；其两侧的解理腔面都镀有反射膜，形成光子谐振腔；光出射方向为全侧面出光，上述结构适合GaN基或ZnSe基的LED；其衬底是蓝宝石衬底，或碳化硅(SiC)衬底。