双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构

摘要

本发明公开的一种双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构，包括顶栅的两边设置有Si₃N₄侧墙，Si₃N₄侧墙的一边设置有源区，Si₃N₄侧墙的另一边设置有漏区，源区和漏区的外侧设置有STI浅槽隔离区，顶栅和Si₃N₄侧墙的下面有一层顶栅氧化层，顶栅氧化层的下面有一层应变Si层，应变Si层的下面有一层应变SiGe层，应变SiGe层的下面有一层底栅氧化层，底栅氧化层的下面设置有底栅，底栅的两边设置有Si₃N₄侧墙，底栅安置在隐埋氧化层中，埋氧层下为硅衬底层。本发明无论在单、双栅工作模式，采用应变沟道时器件的驱动电流均高于体硅沟道器件；双栅模式比单栅模式具有更为理想的亚阈值斜率，更强的驱动能力，更高的跨导和更强的抑制短沟道效应的能力。

主权项

1、一种双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs器件结构，其特征在于：包括顶栅(1)，顶栅(1)的两边设置有Si3N4侧墙(2)，Si3N4侧墙(2)的一边设置有源区(3)，源区(3)的外侧设置有STI浅槽隔离区(4)，Si3N4侧墙(2)的另一边设置有漏区(10)，漏区(10)的外侧也设置有STI浅槽隔离区(4)，顶栅(1)和Si3N4侧墙(2)的下面有一层顶栅氧化层(9)，顶栅氧化层(9)的下面有一层应变Si层(11)，应变Si层(11)的下面有一层应变SiGe层(12)，应变SiGe层(12)的下面有一层底栅氧化层(5)，底栅氧化层(5)的下面设置有底栅(6)，底栅(6)的两边设置有Si3N4侧墙(2)。