| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，特别涉及一种半导体结构，包括：一基底，一第一MOS元件位于该基底的第一区域之上，其中第一MOS元件包括一第一间隙壁衬层。该半导体结构更包括一第二MOS元件位于该第二区域，其中第二MOS元件包括一第二间隙壁衬层。一具有第一厚度的第一应力膜形成在第一MOS元件上，且直接形成在该第一间隙壁衬层之上。一具有第二厚度第二应力膜形成在第二MOS元件之上，且直接形成在该第二间隙壁衬层之上。该第一及该第二应力膜可为不同材料。本发明所述的半导体结构及其形成方法，随着间隙壁移除，相邻两MOS元件间间隙的深宽比减小，因此接触窗蚀刻停止层能提供足够的应力至MOS元件的沟道区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100505263C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200710089514.9 | 申请日期 | 2007.03.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 徐祖望;柯志欣;谢志宏;彭宝庆;章勋明 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：一基底，包括一第一区域及一第二区域；一第一MOS元件位于该第一区域，且该第一MOS元件具有一L形第一间隙壁衬层；一第二MOS元件位于该第二区域，且该第二MOS元件具有一L形第二间隙壁衬层；一第一应力膜具有一第一厚度，位于该第一MOS元件以及该第一间隙壁衬层之上；一第二应力膜具有一第二厚度，位于该第二MOS元件以及该第二间隙壁衬层之上；以及一介电层，位于该第一应力膜与该第二应力膜下，且覆盖于该第一MOS元件、该第一间隙壁衬层、该第二MOS元件及该第二间隙壁衬层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||