| 发明名称 | 延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法 | ||
| 摘要 | 在等离子体蚀刻设备中，反应腔是十分重要的部件，本发明提供一种延长分耦式等离子体源金属蚀刻机台中上反应腔使用寿命的方法，通过对上反应腔中容易受等离子体损害的部分提供特殊材料的覆盖物，使上反应腔的使用寿命得到延长。同时由于上反应腔壁在覆盖环套保护下不易受损，也就不容易产生导致产品缺陷的微粒，这样对后续工艺以至产品良率均有提升。 | ||
| 申请公布号 | CN100505151C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200610028977.X | 申请日期 | 2006.07.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张胜凯;黄文助;杨涛;刘芳文;杨利;许进;黄海;季鹏联;曾最新;蒋广平;蓝仁隆;张仲荣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李 勇 |
| 主权项 | 1、一种延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法，其特征在于，在使用所述反应腔前，其进气口部位以聚四氟乙烯或者陶瓷构成的覆盖物盖住腔壁，然后再使用反应腔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||