保护元件及使用保护元件的半导体装置

摘要

一种保护元件及使用保护元件的半导体装置，在微波FET中，内在的肖特基结电容或pn结电容减小，这些结抗静电弱。但是，在微波器件中，存在连接保护二极管产生的寄生电容的增加导致高频特性恶化，不能使用上述方法的问题。在被保护元件的端子和GND端子之间连接由第一n+型区域-绝缘区域-第二n+型区域构成的保护元件。第一n+型区域柱状设于衬底深度方向，第二n+型区域形成与第一n+型区域的底部相对配置的板状。由此，可通过第一电流路径、第二电流路径使非常大的静电电流流向接地电位，可几乎不使寄生电容增加，而大幅衰减达到HEMT有源区域的静电能量。

主权项

1、一种保护元件，其特征在于，包括：第一高浓度杂质区域，其柱状设于衬底的深度方向，具有大致平行于所述衬底的水平方向的第一侧面，和大致平行于所述衬底垂直方向的第二侧面；第二高浓度杂质区域，其设于所述衬底的底部，一部分与所述第一高浓度杂质区域的所述第一侧面相对；绝缘区域，其与所述第一高浓度杂质区域及所述第二高浓度杂质区域接触地配置，且位于所述第一高浓度杂质区域及所述第二高浓度杂质区域之间，将所述第一高浓度杂质区域及所述第二高浓度杂质区域隔离，将所述第一高浓度杂质区域与被保护元件的一个端子连接，在所述第二高浓度杂质区域上施加接地电位，通过在从所述第一侧面朝向所述第二高浓度杂质区域的所述绝缘区域形成的成为电子电流及空穴电流的路径的第一电流路径、和在从所述第二侧面朝向所述第二高浓度杂质区域的所述绝缘区域形成的成为电子电流及空穴电流的路径的第二电流路径，使施加于所述被保护元件的所述一个端子上的静电能量衰减。