一种基于二次衬底转移技术的单电极白光LED及其制备方法

摘要

一种基于二次衬底转移技术的单电极白光LED及其制备方法，利用常规工艺形成黄光LED作为蓝光LED薄膜的支撑载体，又可以形成黄光LED与蓝光LED的叠层结构，从芯片端混合直接出射白光，实现衬底的二次转移将导热差的蓝宝石衬底及吸光的GaAs衬底完全去除，代之以高导热导电的Si或金属衬底及高反射率金属层，并在蓝光LED和黄光LED中同时加入了透明电流扩展层，最大幅度地提高了功率型白光LED的出光效率；整个白光LED器件呈单电极垂直芯片结构，只需简单封装工艺。

主权项

1. 一种基于二次衬底转移技术的单电极白光LED，包含：支撑基底；支撑基底下表面形成第一电极；在该支撑基底上连接黄光LED；黄光LED下表面形成反射金属膜；其特征在于：在黄光LED上表面形成第一透明导电层，该黄光LED上方通过透明介质材料连接蓝光LED，在透明介质材料外围部分包裹导电联接金属，在蓝光LED下表面形成第二透明导电层，在蓝光LED上表面形成第二电极。