| 发明名称 | 电子发射材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。 | ||
| 申请公布号 | CN100505134C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200480004839.7 | 申请日期 | 2004.06.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田尾本昭;尾崎丰一;出口正洋;柴田元司 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;H01J1/30(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面配置碳之外的颗粒形态的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴、密度为0.60g/cm3以上、2.00g/cm3以下的取向性石墨。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||