发明名称 |
晶片清洗设备及其方法 |
摘要 |
本发明是有关一种晶片清洗设备及其方法。该清洗设备包括:槽体、基台、至少一第一侧壁、上盖及排气装置。基台位于槽体之中;第一侧壁设于槽体中,并围绕基台;上盖设于槽体中,并位于基台上,可操作用以在基台和第一侧壁间区隔出第一空间;排气装置联通位于基台和第一侧壁间第一空间。该清洗晶片方法包括:将放有晶片的基台置于密闭容器中,密闭容器位于反应槽中;藉第一喷嘴将第一化学品喷洒在基材表面;及藉由第二喷嘴将第二化学品喷洒在基材表面,以避免在第一、第二喷嘴中形成由第一、第二化学品因化学反应所生成的产物。本发明在清洗槽与清洗台间设有密闭空间,可防止晶片清洗工艺中液态硫酸铵残留结晶,而造成晶片上集成电路短路或产生开口,非常适于实用。 |
申请公布号 |
CN100505174C |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN200710088297.1 |
申请日期 |
2007.03.22 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
黄琮民;魏正泉;江明晁 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种晶片清洗设备,其特征在于其包括:一槽体;一基台,位于该槽体之中;至少一第一侧壁,设置于该槽体之中,并围绕该基台;一上盖,设置于该槽体之中,并位于该基台之上,可操作用以在该基台和该第一侧壁之间,区隔出一第一空间;以及一排气装置,联通位于该基台和该第一侧壁之间的该第一空间。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |