发明名称 晶片清洗设备及其方法
摘要 本发明是有关一种晶片清洗设备及其方法。该清洗设备包括:槽体、基台、至少一第一侧壁、上盖及排气装置。基台位于槽体之中;第一侧壁设于槽体中,并围绕基台;上盖设于槽体中,并位于基台上,可操作用以在基台和第一侧壁间区隔出第一空间;排气装置联通位于基台和第一侧壁间第一空间。该清洗晶片方法包括:将放有晶片的基台置于密闭容器中,密闭容器位于反应槽中;藉第一喷嘴将第一化学品喷洒在基材表面;及藉由第二喷嘴将第二化学品喷洒在基材表面,以避免在第一、第二喷嘴中形成由第一、第二化学品因化学反应所生成的产物。本发明在清洗槽与清洗台间设有密闭空间,可防止晶片清洗工艺中液态硫酸铵残留结晶,而造成晶片上集成电路短路或产生开口,非常适于实用。
申请公布号 CN100505174C 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200710088297.1 申请日期 2007.03.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 黄琮民;魏正泉;江明晁
分类号 H01L21/306(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1、一种晶片清洗设备,其特征在于其包括:一槽体;一基台,位于该槽体之中;至少一第一侧壁,设置于该槽体之中,并围绕该基台;一上盖,设置于该槽体之中,并位于该基台之上,可操作用以在该基台和该第一侧壁之间,区隔出一第一空间;以及一排气装置,联通位于该基台和该第一侧壁之间的该第一空间。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号