发明名称 | N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路 | ||
摘要 | 本实用新型涉及N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路,包括:第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端,第零PMOS管的源极接到VDD1,第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端,第零NMOS管的源接地GND1,第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起,第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1,第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起,第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2,第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起,第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上,第三PMOS管的源极连到VDD2上,第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端;解决对栅耐压要求较高的问题。 | ||
申请公布号 | CN201263144Y | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
申请号 | CN200820058987.2 | 申请日期 | 2008.05.27 |
申请人 | 上海广晶电子科技有限公司 | 发明人 | 戴忠伟 |
分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 胡美强 |
主权项 | 1. 一种N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路,其特征在于包括:第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端,第零PMOS管的源极接到VDD1,第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端,第零NMOS管的源接地GND1,第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起,第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1,第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起,第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2,第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起,第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上,第三PMOS管的源极连到VDD2上,第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端OUT。 | ||
地址 | 200030上海市虹桥路333号613室 |