发明名称 发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方法
摘要 本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件,其特征在于,上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成,该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物;上述半导体层由多个化合物半导体层构成,至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光,同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件。
申请公布号 CN100505343C 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200580036032.6 申请日期 2005.10.20
申请人 宇部兴产株式会社 发明人 三谷敦志;坂田信一;藤井一宏
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王 健
主权项 1. 发光二极管元件,是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件,其特征在于,上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成,该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物;上述半导体层由多个化合物半导体层构成,至少具有发出可见光的发光层。
地址 日本山口县