发明名称 非平面表面金属微细图形化的方法
摘要 一种非平面表面金属微细图形化的方法,首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层,并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势,然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层,并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面,接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层,并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层,然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶,最后去除下层金属牺牲层,并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层,再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层,如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。
申请公布号 CN100505159C 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200710045107.8 申请日期 2007.08.21
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 余明伟
主权项 1. 一种非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于包括步骤:1)在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层,其中,下层金属牺牲层覆盖所述基片的整个待金属化表面,且使其标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势;2)通过旋涂光刻胶、曝光、显影及湿法腐蚀以形成图形化上层金属牺牲层,并使所述图形化上层金属牺牲层仅覆盖所述基片的待金属化非平面结构的表面;3)在所述上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物、曝光及显影以形成聚合层;4)在所述聚合层上旋涂光刻胶、曝光及显影以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层;5)采用电化学阳极腐蚀所述上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶;6)去除所述下层金属牺牲层,并在形成有图形化光刻胶层的表面沉积一金属层,并采用剥离工艺去除所述图形化光刻胶层以形成相应的图形化金属层。
地址 200050上海市长宁区长宁路865号