| 发明名称 | 用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极 | ||
| 摘要 | 一种用于在FET器件中形成金属硅化物栅极的工艺，其中硅化物是自形成的(即，不需要单独的金属/硅反应步骤而形成)，且不需要硅材料的CMP或回蚀。第一层硅材料(3)(多晶硅或非晶硅)形成于栅极电介质(2)上；然后在上述第一层(3)上形成一层金属(4)，并在上述金属层(4)上形成第二层硅(5)。随后，实施高温(大于700℃)处理步骤，如源/漏激活退火；该步骤有效地通过金属与第一层内的硅反应在栅极电介质(2)上形成硅化物层(30)。可以实施第二高温处理步骤(如源/漏硅化)，有效地利用第二层(5)的硅形成第二硅化物层(50)。各层的厚度是这样的：在高温处理中，基本上第一层的全部和至少第二层的一部分被硅化物材料取代。因此，可以产生充分硅化的栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100505187C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200680001430.9 | 申请日期 | 2006.01.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 骆志炯;方隼飞;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种用于在FET器件制作工艺中形成硅化的栅极结构(100)的方法，该栅极结构(100)具有在基片(1)上的栅极电介质(2)，该制作工艺包括至少一个高温工艺，该方法包括以下步骤：形成覆于栅极电介质(2)上的第一层硅材料(3)；在第一层(3)上形成一层金属(4)；在金属层(4)上形成第二层硅材料(5)；以及在所述形成步骤之后实施高温工艺，其中高温工艺通过金属与第一层内的硅材料的反应而有效地形成与栅极电介质接触的第一硅化物层，由此第一层内的硅材料被第一硅化物层内的硅化物材料所取代。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||