| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含In<sub>X1</sub>Al<sub>Y1</sub>Ga<sub>1-X1-Y1</sub>N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及In<sub>X2</sub>Al<sub>Y2</sub>Ga<sub>1-X2-Y2</sub>N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该In<sub>X1</sub>Al<sub>Y1</sub>Ga<sub>1-X1-Y1</sub>N阱层13与该In<sub>X2</sub>Al<sub>Y2</sub>Ga<sub>1-X2-Y2</sub>N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10<sup>-20</sup>J以上、4.8×10<sup>-20</sup>J以下。 | ||
| 申请公布号 | CN100505346C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200680000584.6 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 京野孝史;秋田胜史;平山秀树 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟 强;关兆辉 |
| 主权项 | 1. 一种氮化物半导体发光元件，其产生包含紫外线区域的波长成分的光，其特征在于，具有包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层的发光区域，其中1>X1>0、1>Y1>0、1>X2>0、1>Y2>0，上述InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层与上述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层之间的能隙差，为2.4×10-20J以上、4.8×10-20J以下，上述InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层的In组成X1为大于0且小于0.03，上述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层的In组成X2为大于0且小于0.03，上述发光区域具有量子阱结构，该量子阱结构产生300nm以上365nm以下波长域内的波长的光。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||