形成场效应晶体管的方法

摘要

本发明的实施方式公开了一种形成场效应晶体管的方法，具体地，公开了一种用于向非平面型FET(例如，finFET或三栅FET)的多晶硅栅中产生应变以在所述FET沟道区上给予相似的应变，同时保护所述半导体鳍片的源/漏区的技术。具体地，在所述鳍片的源/漏区上方形成保护盖层以在随后的非晶化离子注入处理过程中保护这些区域。由于在平行于鳍片的平面中将离子束引向栅极并使离子束相对于垂直轴线倾斜，在这个注入处理期间进一步保护了所述鳍片。结果，所述鳍片的非晶化和对鳍片的损坏得到了限制。在注入处理和形成应变层之后进行再结晶退火，这样，在多晶硅栅中“记忆”了所述应变层的应变。

主权项

1、一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包括：在半导体鳍片的中间区的顶面和相对侧壁上形成栅极，其和所述鳍片的沟道区相邻；在所述鳍片的源/漏区上方的所述顶面上形成保护层；将离子注入所述栅极以非晶化所述栅极，其中所述注入包括将所述离子在平行于所述鳍片的平面中以非直角引向所述栅极；在所述栅极上方形成应变层；以及执行热退火处理以使所述栅极再结晶。