| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，提高高频区域的半导体装置的特性。本发明的半导体装置(20A)在半导体衬底(25)的表面形成有与有源区域(21)连接的发射极焊盘电极(23E)、集电极焊盘电极(23C)及基极焊盘电极(23B)。另外，在半导体衬底(25)的背面形成有背面电极(26)。另外，与接地电位连接的发射极焊盘电极(23E)经由沿厚度方向贯通半导体衬底(25)的贯通电极(24A)与背面电极(26)连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100505300C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200610073803.5 | 申请日期 | 2006.03.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 久保博稔;白旗由香利;松本成仁;山室正伦;龟山工次郎;梅本光雄 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具有：多个焊盘电极，其形成于半导体衬底的表面，与有源区域电连接；分离区域，其形成为围绕所述半导体衬底的所述有源区域；背面电极，其设于所述半导体衬底的背面；贯通电极，其沿厚度方向贯通所述半导体衬底，将所述焊盘电极与所述背面电极连接，并且，设置在所述分离区域的外侧；与接地电位连接的至少一个所述焊盘电极经由所述贯通电极与所述背面电极连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||