发明名称 一种低频微带天线基板材料及其制备方法
摘要 一种低频微带天线基板材料及其制备方法,属于电子材料技术领域。所述基板材料的主晶相为铁氧体,其配方分子式为Ni<sub>x</sub>Cu<sub>0.1</sub>Zn<sub>y</sub>Co<sub>0.05</sub>Fe<sub>z</sub>O<sub>4-δ</sub>,其中x的取值范围为0.78~0.82,y的取值范围为0.07~0.03,z的取值范围为1.90~1.94,δ的取值以保证正负离子价态的平衡;辅助相为钛酸锶铋,其配方分子式为Bi<sub>a</sub>Sr<sub>1-a</sub>TiO<sub>3</sub>,其中a的取值范围为0.20~0.24;主晶相与辅助相的质量百分比在95∶5至97∶3之间。所述制备方法包括分别制备铁氧体预烧料和钛酸锶铋预烧料;然后将两种预烧料按比例二次球磨后造粒、成型和烧结步骤。本发明提供的低频段微带天线基板材料在1MHz~100MHz的范围内,磁导率和介电常数在18至25之间,且频段内比介电损耗系数低于0.03,可显著缩小低频段微带天线的尺寸和体积,并显著提升天线的辐射效率。
申请公布号 CN101462872A 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200910058207.3 申请日期 2009.01.21
申请人 电子科技大学 发明人 苏桦;唐晓莉;张怀武;钟智勇;荆玉兰
分类号 C04B35/30(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01Q1/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/30(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种低频段微带天线基板材料,为包含两相的复合陶瓷材料;其中主晶相为铁氧体,其配方分子式为NixCu0.1ZnyCo0.05FezO4-δ,其中x的取值范围为0.78~0.82,y的取值范围为0.07~0.03,z的取值范围为1.90~1.94,δ的取值范围在0~0.5之间,δ的取值随材料的烧结温度以及x、y和z的取值变化而变化,以保证正负离子价态的平衡;辅助相为钛酸锶铋,其配方分子式为BiaSr1-aTiO3,其中a的取值范围为0.20~0.24;所述主晶相与辅助相的质量百分比在95∶5至97∶3之间。
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