| 发明名称 | 用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变 | ||
| 摘要 | 半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。 | ||
| 申请公布号 | CN101467232A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200780021363.1 | 申请日期 | 2007.06.09 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 阿尔图尔·科利奇;李南海;玛丽娜·波利扬斯基亚;马克·韦斯;詹森·科尔内耶 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1. 一种制造互连器件的方法，包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)中提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而从该介电层(104)清洁该导体(108)离子、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强性清洁或在该介电层(104)上化学吸附疏水层(800)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||