| 发明名称 | 硅片背面单片刻蚀设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片背面单片刻蚀设备，包括控制器，还包括终点检知装置，该终点检知装置包含光源发射器、反射光接收传感器和信号处理系统，所述光源发射器向硅片背面发射光线；所述反射光接收传感器用于接收硅片背面不同介质膜发出的针对发射光线的反射光线，并将该反射光线的信息传递给信号处理系统；所述信号处理系统根据反射光线信息确定终点检测结果，并将该终点检测结果传递给控制器，以控制药液的刻蚀过程停在不同介质膜的分界处。本发明硅片背面单片刻蚀设备，可以使硅片背面需要刻蚀的介质膜被完全刻蚀，同时又减轻药液对下层介质膜的过刻蚀，确保产品背面保留下的介质膜质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101465270A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200710094574.X | 申请日期 | 2007.12.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 潘嘉;王明琪;刘须电 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种硅片背面单片刻蚀设备，包括控制器，其特征在于，还包括终点检知装置，该终点检知装置包含光源发射器、反射光接收传感器和信号处理系统，所述光源发射器向硅片背面发射光线；所述反射光接收传感器用于接收硅片背面不同介质膜发出的针对发射光线的反射光线，并将该反射光线的信息传递给信号处理系统；所述信号处理系统根据反射光线信息确定终点检测结果，并将该终点检测结果传递给控制器，以控制药液的刻蚀过程停在不同介质膜的分界处。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||