发明名称 半导体存储器、存储器系统和存储器访问控制方法
摘要 本发明公开了一种半导体存储器、存储器系统和存储器访问控制方法。该半导体存储器包括包含多个存储单元的存储器核心,生成用于刷新存储单元的刷新请求的刷新生成单元,响应于访问请求而执行访问操作的核心控制单元,在芯片使能信号的激活和刷新请求发生冲突时激活等待时间延长信号、并且响应于芯片使能信号的失活而失活等待时间延长信号的等待时间判定单元,输出等待时间延长信号的等待时间输出缓冲器,以及在等待时间延长信号的激活期间改变从访问请求到向数据端子传送数据的等待时间的数据控制单元。
申请公布号 CN101465158A 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200810180926.8 申请日期 2008.11.18
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 藤冈伸也
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 宋 鹤;南 霆
主权项 1. 一种半导体存储器,包括:存储器核心,该存储器核心包括多个存储单元;刷新生成单元,该刷新生成单元生成用于刷新所述存储单元的刷新请求;核心控制单元,该核心控制单元响应于访问请求而执行访问操作;等待时间判定单元,该等待时间判定单元在芯片使能信号的激活和所述刷新请求发生冲突时激活等待时间延长信号,并且响应于所述芯片使能信号的失活而失活所述等待时间延长信号;等待时间输出缓冲器,该等待时间输出缓冲器输出所述等待时间延长信号;以及数据控制单元,该数据控制单元在所述等待时间延长信号的激活期间改变从所述访问请求到向数据端子传送数据的等待时间。
地址 日本东京都