| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体存储装置，其可以控制位线的电位，改善低电源电压下对于存储单元的数据写入特性，同时抑制各元件的可靠性的恶化，并且具有稳定的写入性能。该半导体存储装置由配置于字线与位线交点上的存储单元(100)、与位线相连接的预充电路(101)和写入电路构成，写入电路通过以下部分构成：由写控制信号来控制的列选择电路(102)；将所选择的位线的电位控制为第一电位(例如0V)的晶体管(QN7)；将该所选择的位线的电位控制为低于第一电位的第二电位(例如负电位)的电容元件(CAP)；以及当电源电压变高的情况下，对第二电位进行钳位的钳位电路(103A)。 | ||
| 申请公布号 | CN101465160A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810170625.7 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山上由展 |
| 分类号 | G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储装置，其特征在于，具有：多条字线；多条位线；配置于上述字线与上述位线的交点上的多个存储单元；与上述位线相连接的预充电路；以及与上述位线相连接的写入电路，其中，上述写入电路由以下部分构成：由写控制信号控制的列选择电路；将所选择的位线的电位控制为第一电位的第一控制电路；将上述所选择的位线的电位控制为低于上述第一电位的第二电位的第二控制电路；以及对上述第二电位进行钳位的钳位电路。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||