发明名称 |
具有再发射半导体构造和光学元件的LED装置 |
摘要 |
本发明提供一种光源,所述光源包括具有发射表面的LED组件以及具有与该发射表面进行光学接触的输入表面的光学元件。与包括不位于pn结内的第二势阱的再发射半导体构造相结合,该LED组件可以是或可以包括能够以第一波长发射光的LED,例如LED晶粒。该光学元件可以是形状为会聚的、发散的或它们的组合的提取器。 |
申请公布号 |
CN101467274A |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN200780022022.6 |
申请日期 |
2007.06.11 |
申请人 |
3M创新有限公司 |
发明人 |
凯瑟琳·A·莱瑟达勒;安德鲁·J·乌德科克;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;卢冬 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
梁晓广;关兆辉 |
主权项 |
1. 一种光源,包括:LED组件,其具有发射表面并包括LED和再发射半导体构造,所述LED能够以第一波长发射光,并且所述再发射半导体构造包括不位于pn结内的第二势阱;以及光学元件,其具有输入表面和输出表面,所述输入表面与所述发射表面的至少一部分进行光学接触。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |