发明名称 |
垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的方法及形成的磁头 |
摘要 |
本发明公开一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法以及由此形成的磁头。该原位尾屏蔽件沉积工艺取消会损坏该写磁极材料的预溅射工艺。此外,种子预备层形成在该尾屏蔽件间隙上从而消减尾屏蔽件间隙的任何不均匀性且控制由源自该尾屏蔽件种子沉积的预溅射工艺所引起的问题。 |
申请公布号 |
CN100505044C |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN200610005722.1 |
申请日期 |
2006.01.06 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
陈重元;刘音诗 |
分类号 |
G11B5/235(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/235(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1. 一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法,包括:形成叠层写磁极;与所述叠层写磁极原位地形成包括非磁金属材料的尾屏蔽件间隙层;修整所述尾屏蔽件间隙层和叠层写磁极;在所述修整的尾屏蔽件间隙层和叠层写磁极两者的侧部形成填充物材料;在该填充物、该尾屏蔽件间隙层和该叠层写磁极之上形成种子预备层;以及在该种子预备层之上形成尾屏蔽件。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |