| 发明名称 | 磨平栅极材料以改善半导体装置中的栅极特征尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体装置(100)的方法，包括在绝缘层(120)上形成鳍式结构(210)。该鳍式结构(210)可包括侧表面以及上表面。该方法还可包括在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)以及平坦化该已沉积的栅极材料层(320)。可在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)，并且通过该抗反射涂层(520)从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)。 | ||
| 申请公布号 | CN100505182C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200380102760.3 | 申请日期 | 2003.10.14 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | S·S·艾哈迈德;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体装置(100)的方法，包括：在绝缘层(120)上形成鳍式结构(210)，该鳍式结构(210)包括侧表面以及上表面；在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)；平坦化该已沉积的栅极材料层(320)；在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)；以及从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)，其中该栅极结构(510)的较小尺寸小于或等于50纳米。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||