场效应晶体管

摘要

在SiC单晶衬底(1)上，形成电场驰豫层(12)和p-型缓冲层(2)。电场驰豫层(12)被形成在p-型缓冲层(2)和SiC单晶衬底(1)之间，以使它与SiC单晶衬底(1)接触。在p-型缓冲层(2)上，形成n型半导体层(3)。在n型半导体层(3)上，形成p型半导体层(10)。在p型半导体层(10)上，n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)彼此以预定的距离分开形成。在位于n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)之间的p型半导体层(10)的区域的一部分上，形成P+型栅极区域层(6)。

主权项

1. 一种场效应晶体管，包括：具有主表面的半导体衬底(1)；形成在所述半导体衬底(1)的主表面上的第一导电型的第一半导体层(12，2)；形成在所述第一半导体层(12，2)上的第二导电型的第二半导体层(3)；形成在所述第二半导体层(3)上的第一导电型的第三半导体层(10)；形成在所述第三半导体层(10)中的一对源极和漏极区域层(4，5)，其彼此以预定距离分开；以及形成在所述一对源极和漏极区域层(4，5)之间的所述第三半导体层(10)的区域的一部分上的栅极区域层(6)，其中所述第一半导体层(12，2)包括缓冲层(2)，其形成在安置所述第三半导体层(10)的一侧上，并具有第一杂质浓度，以及电场驰豫层(12)，其形成在所述缓冲层(2)和所述半导体衬底(1)之间的区域上，以接触所述半导体衬底(1)并具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度，所述电场驰豫层(12)的厚度与所述缓冲层(2)的厚度的比值最大被设置为所述第二杂质浓度与所述第一杂质浓度的比值的倒数。