发明名称 |
真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺,它包括按如下工艺步骤:将整张基片表面进行真空镀膜、排版印刷、贴分切型保护膜、揭部分保护膜、蚀刻;在压膜机上安装分切刀具,使基片压贴保护膜和分切保护膜同步进行;压膜和分切是在同一台机器上同时进行的,先切后压连续完成,本发明的优点是,充分体现节能需求,在降低生产过程原材料的消耗的同时,满足了产品局部区域无镀层的要求,整个工艺过程仅进行一次镀膜就可进行后续工序,然后即可生产出高品质的产品,该工艺降低了成本,提高了效率;因此,本发明提供的镀层基片局部蚀刻工艺思路新颖、具有创造性和较高的实用性,有推广价值。 |
申请公布号 |
CN101463460A |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN200810153564.3 |
申请日期 |
2008.11.27 |
申请人 |
天津市中环高科技有限公司 |
发明人 |
刘福祥;历振涛;魏红军 |
分类号 |
C23C14/04(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;B44C1/22(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/04(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 |
代理人 |
莫 琪 |
主权项 |
1、一种真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺,其特征是包括按如下工艺步骤:(1)将整张基片(金属板/塑料板/透明、半透明、有色胶片)表面进行真空镀膜;(2)在已镀膜基片表面采用丝网印刷的方法,印刷出产品图案;(3)对已镀膜、且膜层表面已印刷出产品图案的基片压贴保护膜;(4)在已压贴保护膜的基片表面,沿产品图案即需要蚀刻镀层区域边界分切保护膜;(5)手工揭去需要蚀刻镀层区域的保护膜;(6)进行蚀刻;(7)揭去所有保护膜,水洗烘干。 |
地址 |
300385天津市西青区微电子工业区微三路6号 |