发明名称 一种可提高偏移裕度的第一层接触孔制作方法
摘要 本发明提供了一种可提高偏移裕度的第一层接触孔制作方法,该第一层接触孔制作在半导体器件上。现有技术中制作第一层接触孔时具有较小的偏移裕度而增大了工艺难度,并易造成半导体器件的漏电流增大。本发明可提高偏移裕度的第一层接触孔制作方法首先沉积金属前介质并进行回流;接着进行化学机械抛光工艺以平坦该金属前介质;然后光刻并刻蚀出第一层接触孔;最后沉积绝缘介质层并通过刻蚀工艺在第一层接触孔壁上形成绝缘介质侧墙。通过本发明的可提高偏移裕度的第一层接触孔制作方法可大大提高接触孔制作时的偏移裕度,相应地降低了工艺难度和半导体器件的漏电流。
申请公布号 CN101465314A 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200710172426.5 申请日期 2007.12.17
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张峻豪;张向莉;赵敏局
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 屈 蘅;李时云
主权项 1、一种可提高偏移裕度的第一层接触孔制作方法,该第一层接触孔制作在半导体器件上,其特征在于,该制作方法包括以下步骤:a、沉积金属前介质并进行回流;b、进行化学机械抛光工艺以平坦该金属前介质;c、光刻并刻蚀出第一层接触孔;d、沉积绝缘介质层并通过刻蚀工艺在第一层接触孔壁上形成绝缘介质侧墙。
地址 201203上海市张江路18号