| 发明名称 | 双栅极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体衬底(2)上的双栅极晶体管，包括第一扩散区(S2)、第二扩散区(S3)、以及双栅极(FG、CG)。将第一和第二扩散区(S2，S3)布置在衬底上，由沟道区(CR)将所述第一和第二扩散区(S2，S3)隔开。双栅极包括第一栅极电极(FG)和第二栅极电极(CG)。多晶硅层间电介质层(IPD)将第一栅极电极与第二栅极电极分开。将第一栅极电极布置在沟道区之上，由栅极氧化物层(G)将所述第一栅极电极与沟道区分开。将第二栅极电极定形为中心体。将多晶硅层间电介质层布置为包围第二栅极电极主体外表面(A1)的管道形状的层。第一栅极电极包围多晶硅层间电介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN101467235A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200780022097.4 | 申请日期 | 2007.06.06 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 延·索斯基;米切尔·J·范杜雷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种半导体衬底(2)上的双栅极晶体管，包括第一扩散区(S2)、第二扩散区(S3)、以及双栅极(FG、CG)；将第一和第二扩散区(S2，S3)布置在衬底中，由沟道区(CR)将所述第一和第二扩散区(S2，S3)隔开；双栅极包括第一栅极电极(FG)和第二栅极电极(CG)；层间电介质层(IPD)将第一栅极电极与第二栅极电极分开；将第一栅极电极布置在沟道区之上，由栅极氧化物层(G)将所述第一栅极电极与沟道区分开；将第一栅极电极布置为管道形状的层，该管道形状的层具有包围多晶硅层间电介质层的第一内表面(A1)，多晶硅层间电介质层包围第二栅极电极，第二栅极电极形状为中心体。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||