发明名称 | 薄膜应力测试方法及测试结构 | ||
摘要 | 本发明提供一种高灵敏度薄膜应力测试方法,该方法将测试范围集中在衬底的局部,减小该局部基底的厚度,并设计固定的支撑结构;通过测量薄膜淀积前后局部基底的弯曲曲率,得到淀积在基底上的薄膜应力。本发明利用局部基底弯曲来检测薄膜的残余应力,其结构加工工艺和检测方法简单实用,不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了传统基底弯曲法的系统误差,可以用于检测薄膜的局部应力,同时检测精度和灵敏度也得到了极大的提高,可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的残余应力。 | ||
申请公布号 | CN100504348C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
申请号 | CN200510126258.7 | 申请日期 | 2005.12.02 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 陈兢;王莎莎 |
分类号 | G01N13/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N13/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 贾晓玲 |
主权项 | 1、一种薄膜应力测试方法,包括:(1)在衬底背面的多个局域上进行衬底减薄;(2)在衬底的正面上淀积薄膜材料;(3)正面光刻,刻蚀薄膜形成测试结构图形,刻蚀衬底,使减薄后的衬底形成悬空结构,测量淀积薄膜的悬空结构的弯曲曲率;(4)去除薄膜,测量悬空结构的弯曲曲率,(5)根据薄膜去除前后悬空结构的弯曲曲率,得到薄膜应力。 | ||
地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 |